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Samsung ist es vor kurzem als erstes gelungen, DDR3 Chips mit 4Gbit Kapazität mittels 50nm Verfahren zu konstruieren. Jeder einzelne Chip fasst somit genau 512 MB, was es laut dem südkoreanischen Chiphersteller eröglicht, einzelne Ram-Module mit einer Kapazität von bis zu 32 GB zu konstruieren. Neben dem erhöhten Speicherplatz bieten die neuen Chips zusätzlich noch einen höheren Durchsatz von 1,6Gbit/s, und verbrauchen ca 40 % weniger Strom als die Chips mit 2 GBit Größen. In Verbindung mit dem seit DDR3 eingeführten TripleChannel Modus sollten (CPU mit hohem FSB vorrausgesetzt) Speicherdurchsätze jenseits der 40 GB pro Sekunde durchaus realistisch sein. Details zum Thema -...